華潤微攜手銳成芯微推出創新型eFlash解決方案

發稿時間:2020-05-28來源:華潤微電子 【 字體:
2020年5月27日,華潤微電子有限公司(以下簡稱“華潤微”)代工事業群旗下的無錫華潤上華科技有限公司(以下簡稱“華潤上華”)與成都銳成芯微科技股份有限公司(以下簡稱“成都銳成芯微”)宣布,雙方聯合推出高可靠性eFlash解決方案, 該方案基于華潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝,并具有獨特的成本優勢。
華潤微0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺由上一代明星工藝平臺(0.18μm EN CMOS工藝平臺)優化而來。優化后的工藝成本大大縮減,在未增加光刻層次的情況下,將N/P MOS溝道尺寸進一步縮小。該工藝平臺器件種類多樣,適用于MCU、LED顯示屏、音頻功放、DC-DC等多種應用場景。
成都銳成芯微的LogicFlash? IP具有顯著的市場競爭優勢,成本優、性能高、可靠性高,并兼容標準CMOS 平臺?;谌A潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺,成都銳成芯微能同時提供高可靠性和高密度兩個版本的LogicFlash? IP,高密度版本擦寫次數可達10K,高可靠性版本擦寫次數可達50K;兩款IP讀取速度可達25MHz,寫入速度可達20μS/byte(超快的寫入速度可滿足終端客戶各種應用場景下對高速讀寫的需求,并有效降低客戶測試成本);兩款IP可在150℃ 結溫下工作,滿足125℃ 結溫下10年的數據保持能力的要求,同時滿足消費類和工業類產品需求。
基于華潤微0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺,成都銳成芯微已完成高密度版本Logic Flash? IP的功能、性能和1000小時可靠性測試,以及高可靠性版本LogicFlash? IP的功能測試。目前,兩個版本的IP均有客戶使用并成功導入量產,客戶反饋該技術方案相比其他解決方案具有高性價比、高靈活性等特點。
華潤上華設計服務工程中心總監王浩表示:“0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺是公司近些年重點打造的基礎工藝平臺,其關鍵工藝參數(On-BV、ESD、Rdson)在業界處于領先地位。公司具備極具市場競爭力的數字單元庫(縮小到60%)和SRAM(縮小到58%)。根據市場調研,公司發現其核心客戶應用領域從功能單一的ASIC芯片向智能化可編程化的MCU類芯片發展,eNVM是MCU類芯片不可或缺的核心IP。此次與成都銳成芯微的合作,補齊了公司0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺缺少核心eNVM IP的短板,為客戶提供了更高價值的服務,能夠幫助客戶提高產品競爭力?!?br style="line-height: 150%;" /> 成都銳成芯微首席執行官向建軍表示:“銳成芯微一直致力于eNVM IP的開發,通過不斷加大研發投入,優化設計,確保在保持高性能的條件下,不斷提升成本競爭力,滿足客戶對于eNVM IP的多樣性需求。此次和華潤上華在0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺的合作,也是為了更好地滿足市場需求,為全球客戶提供極具成本優勢的高性能eNVM 技術?!?/font>
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